文献
J-GLOBAL ID:200902236659857494
整理番号:06A0177034
ポリチオフェン薄膜トランジスター中の埋め込み界面における高配向結晶
Highly oriented crystals at the buried interface in polythiophene thin-film transistors
著者 (3件):
JOSEPH KLINE R.
(Stanford Univ., California, USA)
,
MCGEHEE Michael D.
(Stanford Univ., California, USA)
,
TONEY Michael F.
(Stanford Synchrotron Radiation Lab., California, USA)
資料名:
Nature Materials
(Nature Materials)
巻:
5
号:
3
ページ:
222-228
発行年:
2006年03月
JST資料番号:
W1364A
ISSN:
1476-1122
資料種別:
逐次刊行物 (A)
記事区分:
原著論文
発行国:
イギリス (GBR)
言語:
英語 (EN)