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文献
J-GLOBAL ID：200902236794554728
整理番号：06A0684608
高効率GaN系発光ダイオードのためのp-GaNの選択湿式エッチング
Selective Wet Etching of p-GaN for Efficient GaN-Based Light-Emitting Diodes
NA Seok-In
(Gwangju Inst. Sci. and Technol., Gwangju, KOR)
,
HA Ga-Young
(Gwangju Inst. Sci. and Technol., Gwangju, KOR)
,
HAN Dae-Seob
(Gwangju Inst. Sci. and Technol., Gwangju, KOR)
,
KIM Seok-Soon
(Gwangju Inst. Sci. and Technol., Gwangju, KOR)
,
KIM J-Yeon
(Gwangju Inst. Sci. and Technol., Gwangju, KOR)
,
LIM Jae-Hong
(Gwangju Inst. Sci. and Technol., Gwangju, KOR)
,
KIM Dong-Joon
(Samsung Electro-Mechanics Co., Ltd., Suwon, KOR)
,
MIN Kyeong-Ik
(Samsung Electro-Mechanics Co., Ltd., Suwon, KOR)
,
PARK Seong-Ju
(Gwangju Inst. Sci. and Technol., Gwangju, KOR)
資料名：
IEEE Photonics Technology Letters
(IEEE Photonics Technology Letters)
巻： 18 号： 13/16 ページ： 1512-1514 発行年： 2006年07月01日
JST資料番号： T0721A ISSN： 1041-1135 CODEN： IPTLEL 資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 解説 発行国： アメリカ合衆国 (USA) 言語： 英語 (EN)
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