文献
J-GLOBAL ID:200902236911713239
整理番号:07A0038134
InP系HEMTのデバイス特性における界面平坦性の影響-(411)A面方位基板による界面ラフネス散乱の抑制-
Effects of heterointerface flatness on device performance of InP-based HEMT-Reduction of interface roughness scattering using (411)A-oriented substrate-
著者 (9件):
渡邊一世
(情報通信研究機構)
,
篠原啓介
(情報通信研究機構)
,
北田貴弘
(大阪大 大学院基礎工学研究科)
,
下村哲
(大阪大 大学院基礎工学研究科)
,
遠藤聡
(富士通研)
,
山下良美
(富士通研)
,
三村高志
(富士通研)
,
冷水佐壽
(大阪大 大学院基礎工学研究科)
,
松井敏明
(情報通信研究機構)
資料名:
電子情報通信学会技術研究報告
(IEICE Technical Report (Institute of Electronics, Information and Communication Engineers))
巻:
106
号:
378(ED2006 176-183)
ページ:
21-25
発行年:
2006年11月17日
JST資料番号:
S0532B
ISSN:
0913-5685
資料種別:
会議録 (C)
記事区分:
原著論文
発行国:
日本 (JPN)
言語:
日本語 (JA)