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文献
J-GLOBAL ID：200902237000653057
整理番号：04A0570488
polySi/HfAlOx/SiONゲートスタックの経時絶縁破壊
Dielectric breakdown Characteristics of poly-Si/HfAlOx/SiON gate stack
鳥居和功
(半導体先端テクノロジーズ)
,
大路洋
(半導体先端テクノロジーズ)
,
武藤彰良
(半導体先端テクノロジーズ)
,
川原孝昭
(半導体先端テクノロジーズ)
,
三橋理一郎
(半導体先端テクノロジーズ)
,
堀内淳
(半導体先端テクノロジーズ)
,
宮崎誠一
(広島大 大学院先端物質科学研究科)
,
北島洋
(半導体先端テクノロジーズ)
資料名：
電子情報通信学会技術研究報告
(IEICE Technical Report (Institute of Electronics, Information and Communication Engineers))
巻： 104 号： 135(SDM2004 47-59) ページ： 65-69 発行年： 2004年06月22日
JST資料番号： S0532B ISSN： 0913-5685 資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 原著論文 発行国： 日本 (JPN) 言語： 日本語 (JA)
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