文献
J-GLOBAL ID:200902237167942298
整理番号:09A0082529
極薄SiO2膜法を用いてSi基板上にエピタキシャル成長させたGaSb量子ドットの形成及び光学的性質
Formation and optical properties of GaSb quantum dots epitaxially grown on Si substrates using an ultrathin SiO2 film technique
著者 (3件):
NAKAMURA Yoshiaki
(Dep. of Applied Physics, Quantum-Phase Electronics Center, School of Engineering, The Univ. of Tokyo, 7-3-1 Hongo ...)
,
SUGIMOTO Tomohiro
(Dep. of Applied Physics, Quantum-Phase Electronics Center, School of Engineering, The Univ. of Tokyo, 7-3-1 Hongo ...)
,
ICHIKAWA Masakazu
(Dep. of Applied Physics, Quantum-Phase Electronics Center, School of Engineering, The Univ. of Tokyo, 7-3-1 Hongo ...)
資料名:
Journal of Applied Physics
(Journal of Applied Physics)
巻:
105
号:
1
ページ:
014308
発行年:
2009年01月01日
JST資料番号:
C0266A
ISSN:
0021-8979
CODEN:
JAPIAU
資料種別:
逐次刊行物 (A)
記事区分:
原著論文
発行国:
アメリカ合衆国 (USA)
言語:
英語 (EN)