文献
J-GLOBAL ID:200902237182926061
整理番号:09A0796135
Si CMOSを超える科学と技術用のGa2O3(Gd2O3)の高いk誘電体を持つInGaAs金属酸化物の半導体デバイス
InGaAs Metal Oxide Semiconductor Devices with Ga2O3(Gd2O3) High-κ Dielectrics for Science and Technology beyond Si CMOS
著者 (4件):
HONG M.
,
KWO J.
,
LIN T. D.
(National Tsing Hua Univ., TWN)
,
HUANG M. L.
(National Tsing Hua Univ., TWN)
資料名:
MRS Bulletin
(MRS Bulletin)
巻:
34
号:
7
ページ:
514-521
発行年:
2009年07月
JST資料番号:
W1595A
ISSN:
0883-7694
CODEN:
MRSBEA
資料種別:
逐次刊行物 (A)
記事区分:
文献レビュー
発行国:
アメリカ合衆国 (USA)
言語:
英語 (EN)