文献
J-GLOBAL ID:200902237333607583
整理番号:05A0225717
Wide-rangeバックバイアス制御を可能にする低電力・高性能Silicon on Thin BOXデバイス技術
Silicon on Thin BOX: Novel CMOSFET for Low-Power and High-Performance Application Featuring Wide-Range Back-Bias Control
著者 (9件):
土屋龍太
(日立 中央研)
,
堀内勝忠
(日立 中央研)
,
木村紳一郎
(日立 中央研)
,
山岡雅直
(日立 中央研)
,
河原尊之
(日立 中央研)
,
前川繁登
(ルネサステクノロジ 先端デバイス開発部)
,
一法師隆志
(ルネサステクノロジ 先端デバイス開発部)
,
大路譲
(ルネサステクノロジ 先端デバイス開発部)
,
松岡秀行
(日立 中央研)
資料名:
電子情報通信学会技術研究報告
(IEICE Technical Report (Institute of Electronics, Information and Communication Engineers))
巻:
104
号:
577(SDM2004 209-221)
ページ:
39-42
発行年:
2005年01月14日
JST資料番号:
S0532B
ISSN:
0913-5685
資料種別:
会議録 (C)
記事区分:
原著論文
発行国:
日本 (JPN)
言語:
日本語 (JA)