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文献
J-GLOBAL ID:200902237333607583   整理番号:05A0225717

Wide-rangeバックバイアス制御を可能にする低電力・高性能Silicon on Thin BOXデバイス技術

Silicon on Thin BOX: Novel CMOSFET for Low-Power and High-Performance Application Featuring Wide-Range Back-Bias Control
著者 (9件):
土屋龍太
(日立 中央研)
堀内勝忠
(日立 中央研)
木村紳一郎
(日立 中央研)
山岡雅直
(日立 中央研)
河原尊之
(日立 中央研)
前川繁登
(ルネサステクノロジ 先端デバイス開発部)
一法師隆志
(ルネサステクノロジ 先端デバイス開発部)
大路譲
(ルネサステクノロジ 先端デバイス開発部)
松岡秀行
(日立 中央研)

資料名:
電子情報通信学会技術研究報告  (IEICE Technical Report (Institute of Electronics, Information and Communication Engineers))

巻: 104  号: 577(SDM2004 209-221)  ページ: 39-42  発行年: 2005年01月14日 
JST資料番号: S0532B  ISSN: 0913-5685  資料種別: 会議録 (C)
記事区分: 原著論文  発行国: 日本 (JPN)  言語: 日本語 (JA)
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