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文献
J-GLOBAL ID：200902237535907376
整理番号：05A0876505
Si円錐上に成長したカーボンナノチューブ単一先端の電界放出特性
Field-Emission Characteristics of Carbon Nanotube Single Tip Grown on Si Cone
YOSHIMOTO Tomomi
(Hokkaido Tokai Univ., Sapporo, JPN)
,
IWATA Tatsuo
(Hokkaido Tokai Univ., Sapporo, JPN)
,
MATSUMOTO Kazuhiko
(Osaka Univ., Osaka, JPN)
資料名：
Japanese Journal of Applied Physics. Part 1. Regular Papers, Short Notes & Review Papers
(Japanese Journal of Applied Physics. Part 1. Regular Papers, Short Notes & Review Papers)
巻： 44 号： 9A ページ： 6739-6741 発行年： 2005年09月15日
JST資料番号： G0520B ISSN： 0021-4922 資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 短報 発行国： 日本 (JPN) 言語： 英語 (EN)
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