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文献
J-GLOBAL ID：200902237806041728
整理番号：05A1022911
雰囲気加熱によるSi基板上のSiO2薄膜の厚み計測工学のための浄化法
Cleaning Method for Thickness Metrology of SiO2 Thin Films on Si Substrates by Heating in Atmosphere
AZUMA Yasushi
(National Inst. of Advanced Industrial Sci. and Technol. (AIST), Ibaraki, JPN)
,
FUJIMOTO Toshiyuki
(National Inst. of Advanced Industrial Sci. and Technol. (AIST), Ibaraki, JPN)
,
KOJIMA Isao
(National Inst. of Advanced Industrial Sci. and Technol. (AIST), Ibaraki, JPN)
資料名：
Japanese Journal of Applied Physics. Part 1. Regular Papers, Short Notes & Review Papers
(Japanese Journal of Applied Physics. Part 1. Regular Papers, Short Notes & Review Papers)
巻： 44 号： 11 ページ： 8256-8258 発行年： 2005年11月15日
JST資料番号： G0520B ISSN： 0021-4922 資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 短報 発行国： 日本 (JPN) 言語： 英語 (EN)
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