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文献
J-GLOBAL ID：200902237850505901
整理番号：07A0067458
完全空乏型SOI MOSFETにおける重イオン誘起過渡電流の時間領域成分解析
Time-Domain Component Analysis of Heavy-Ion-Induced Transient Currents in Fully-Depleted SOI MOSFETs
KOBAYASHI Daisuke
(Japan Aerospace Exploration Agency, Kanagawa, JPN)
,
KOBAYASHI Daisuke
(Graduate Univ. Advanced Studies, Kanagawa, JPN)
,
AIMI Masahiro
(Univ. Tokyo, Tokyo, JPN)
,
SAITO Hirobumi
(Japan Aerospace Exploration Agency, Kanagawa, JPN)
,
SAITO Hirobumi
(Univ. Tokyo, Tokyo, JPN)
,
HIROSE Kazuyuki
(Japan Aerospace Exploration Agency, Kanagawa, JPN)
,
HIROSE Kazuyuki
(Graduate Univ. Advanced Studies, Kanagawa, JPN)
資料名：
IEEE Transactions on Nuclear Science
(IEEE Transactions on Nuclear Science)
巻： 53 号： 6,Pt.1 ページ： 3372-3378 発行年： 2006年12月
JST資料番号： C0235A ISSN： 0018-9499 CODEN： IETNAE 資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文 発行国： アメリカ合衆国 (USA) 言語： 英語 (EN)
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