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文献
J-GLOBAL ID:200902237850505901   整理番号:07A0067458

完全空乏型SOI MOSFETにおける重イオン誘起過渡電流の時間領域成分解析

Time-Domain Component Analysis of Heavy-Ion-Induced Transient Currents in Fully-Depleted SOI MOSFETs
著者 (7件):
KOBAYASHI Daisuke
(Japan Aerospace Exploration Agency, Kanagawa, JPN)
KOBAYASHI Daisuke
(Graduate Univ. Advanced Studies, Kanagawa, JPN)
AIMI Masahiro
(Univ. Tokyo, Tokyo, JPN)
SAITO Hirobumi
(Japan Aerospace Exploration Agency, Kanagawa, JPN)
SAITO Hirobumi
(Univ. Tokyo, Tokyo, JPN)
HIROSE Kazuyuki
(Japan Aerospace Exploration Agency, Kanagawa, JPN)
HIROSE Kazuyuki
(Graduate Univ. Advanced Studies, Kanagawa, JPN)

資料名:
IEEE Transactions on Nuclear Science  (IEEE Transactions on Nuclear Science)

巻: 53  号: 6,Pt.1  ページ: 3372-3378  発行年: 2006年12月 
JST資料番号: C0235A  ISSN: 0018-9499  CODEN: IETNAE  資料種別: 逐次刊行物 (A)
記事区分: 原著論文  発行国: アメリカ合衆国 (USA)  言語: 英語 (EN)
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