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文献
J-GLOBAL ID：200902238296282667
整理番号：08A0198243
SSMBEによるSi(111)上3C-SiCの成長に対する炭化および基板温度の影響
Effects of carbonization and substrate temperature on the growth of 3C-SiC on Si(111) by SSMBE
LIU Zhongliang
(National Synchrotron Radiation Lab., Univ. of Sci. and Technol. of China, Hefei 230029, CHN)
,
LIU Jinfeng
(National Synchrotron Radiation Lab., Univ. of Sci. and Technol. of China, Hefei 230029, CHN)
,
REN Peng
(National Synchrotron Radiation Lab., Univ. of Sci. and Technol. of China, Hefei 230029, CHN)
,
WU Yuyu
(National Synchrotron Radiation Lab., Univ. of Sci. and Technol. of China, Hefei 230029, CHN)
,
XU Pengshou
(National Synchrotron Radiation Lab., Univ. of Sci. and Technol. of China, Hefei 230029, CHN)
資料名：
Applied Surface Science
(Applied Surface Science)
巻： 254 号： 10 ページ： 3207-3210 発行年： 2008年03月15日
JST資料番号： B0707B ISSN： 0169-4332 資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文 発行国： オランダ (NLD) 言語： 英語 (EN)
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