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文献
J-GLOBAL ID：200902238331536251
整理番号：05A0154226
高性能サブ80nm用途のためのバルクSi上新型マルチチャネル電界効果トランジスタ(McFET)
A Novel Multi-channel Field Effect Transistor (McFET) on Bulk Si for High Performance Sub-80nm Application
KIM S M
(Samsung Electronics, Kyoungi-Do, KOR)
,
YOON E J
(Samsung Electronics, Kyoungi-Do, KOR)
,
JO H J
(Samsung Electronics, Kyoungi-Do, KOR)
,
LI M
(Samsung Electronics, Kyoungi-Do, KOR)
,
OH C W
(Samsung Electronics, Kyoungi-Do, KOR)
,
LEE S Y
(Samsung Electronics, Kyoungi-Do, KOR)
,
YEO K H
(Samsung Electronics, Kyoungi-Do, KOR)
,
KIM M S
(Samsung Electronics, Kyoungi-Do, KOR)
,
KIM S H
(Samsung Electronics, Kyoungi-Do, KOR)
資料名：
Technical Digest. International Electron Devices Meeting
(Technical Digest. International Electron Devices Meeting)
巻： 2004 ページ： 639-642 発行年： 2004年
JST資料番号： C0829B ISSN： 0163-1918 資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 短報 発行国： アメリカ合衆国 (USA) 言語： 英語 (EN)
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