前のページに戻る
この文献は全文を取り寄せることができます
JDreamⅢ複写サービスから文献全文の複写（冊子体のコピー）をお申込みできます。
ご利用には、G-Searchデータベースサービスまたは、JDreamⅢのIDが必要です。
ご利用には、G-Searchデータベースサービスまたは、JDreamⅢのIDが必要です。
既に、G-Searchデータベースサービスまたは、JDreamⅢのIDをお持ちの方
JDreamⅢ複写サービスのご利用が初めての方
取り寄せる文献のタイトルと詳細
文献
J-GLOBAL ID：200902238446241751
整理番号：04A0189590
高信頼度多孔質low-κ/Cu集積用の低圧CMP
Low-Pressure CMP for Reliable Porous Low-k/Cu Integration
KONDO S
(Semiconductor Leading Edge Technol., Inc.(Selete), Ibaraki-ken, JPN)
,
TOKITOH S
(Semiconductor Leading Edge Technol., Inc.(Selete), Ibaraki-ken, JPN)
,
YOON B U
(Semiconductor Leading Edge Technol., Inc.(Selete), Ibaraki-ken, JPN)
,
NAMIKI A
(Novellus Systems Japan, Inc., Kanagawa-ken, JPN)
,
SONE A
(Novellus Systems Japan, Inc., Kanagawa-ken, JPN)
,
OHASHI N
(Semiconductor Leading Edge Technol., Inc.(Selete), Ibaraki-ken, JPN)
,
MISAWA K
(Semiconductor Leading Edge Technol., Inc.(Selete), Ibaraki-ken, JPN)
,
SONE S
(Semiconductor Leading Edge Technol., Inc.(Selete), Ibaraki-ken, JPN)
,
KOBAYASHI N
(Semiconductor Leading Edge Technol., Inc.(Selete), Ibaraki-ken, JPN)
資料名：
Proceedings of the IEEE 2003 International Interconnect Technology Conference
(Proceedings of the IEEE 2003 International Interconnect Technology Conference)
ページ： 86-88 発行年： 2003年
JST資料番号： K20030147 ISBN： 0-7803-7797-4 資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 短報 発行国： アメリカ合衆国 (USA) 言語： 英語 (EN)
JDreamⅢ複写サービスとは
JDreamⅢ複写サービスは、学術文献の全文を複写（コピー）して取り寄せできる有料サービスです。インターネットに公開されていない文献や、図書館に収録されていない文献の全文を、オンラインで取り寄せることができます。J-GLOBALの整理番号にも対応しているので、申し込みも簡単にできます。全文の複写（コピー）は郵送またはFAXでお送りします
※ご利用には、G-Searchデータベースサービスまたは、JDreamⅢのIDが必要です
※初めてご利用される方は、JDreamⅢ複写サービスのご案内をご覧ください。
※ご利用には、G-Searchデータベースサービスまたは、JDreamⅢのIDが必要です
※初めてご利用される方は、JDreamⅢ複写サービスのご案内をご覧ください。