文献
J-GLOBAL ID:200902238523691897
整理番号:06A0256614
イオンビーム衝撃により誘起された立位型薄膜を用いたゲート付き冷陰極の作製
Fabrication of gated cold cathode using standing thin film induced by ion-beam bombardment
著者 (3件):
YOSHIDA Tomoya
(Center for Microelectronic Systems, Kyushu Inst. of Technol., 680-4 Kawazu, Iizuka, Fukuoka 820-8502, JPN)
,
BABA Akiyoshi
(Center for Microelectronic Systems, Kyushu Inst. of Technol., 680-4 Kawazu, Iizuka, Fukuoka 820-8502, JPN)
,
ASANO Tanemasa
(Center for Microelectronic Systems, Kyushu Inst. of Technol., 680-4 Kawazu, Iizuka, Fukuoka 820-8502, JPN)
資料名:
Journal of Vacuum Science & Technology. B. Microelectronics and Nanometer Structures
(Journal of Vacuum Science & Technology. B. Microelectronics and Nanometer Structures)
巻:
24
号:
2
ページ:
932-935
発行年:
2006年03月
JST資料番号:
E0974A
ISSN:
1071-1023
CODEN:
JVTBD9
資料種別:
逐次刊行物 (A)
記事区分:
原著論文
発行国:
アメリカ合衆国 (USA)
言語:
英語 (EN)