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文献
J-GLOBAL ID：200902238536841146
整理番号：09A0713397
Siバッファ層とSiO2基板を用いて作製したSi/GeB多層膜の結晶度と熱電気的性質
Crystallinity and Thermoelectric Properties of Si/GeB Multilayers Prepared with Si Buffer Layer and SiO2 Substrates
MATOBA Akinari
(Kanazawa Univ., Kanazawa, JPN)
,
SASAKI Kimihiro
(Kanazawa Univ., Kanazawa, JPN)
,
KUMEDA Minoru
(Kanazawa Univ., Kanazawa, JPN)
資料名：
Japanese Journal of Applied Physics
(Japanese Journal of Applied Physics)
巻： 48 号： 6,Issue 1 ページ： 061201.1-061201.4 発行年： 2009年06月25日
JST資料番号： G0520B ISSN： 0021-4922 CODEN： JJAPB6 資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文 発行国： イギリス (GBR) 言語： 英語 (EN)
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