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文献
J-GLOBAL ID：200902238536912990
整理番号：09A0759094
エクゾ電子放出のためのSiドープMgO中の電子エネルギー状態
Electronic energy states in Si-doped MgO for exoelectron emission
HO S.
(Advanced Res. Lab., Hitachi Ltd., 1-280 Higashi-koigakubo, Kokubunji, Tokyo 185-8601, JPN)
,
NOBUKI S.
(Advanced Res. Lab., Hitachi Ltd., 1-280 Higashi-koigakubo, Kokubunji, Tokyo 185-8601, JPN)
,
UEMURA N.
(Advanced Res. Lab., Hitachi Ltd., 1-280 Higashi-koigakubo, Kokubunji, Tokyo 185-8601, JPN)
,
MORI S.
(Advanced Res. Lab., Hitachi Ltd., 1-280 Higashi-koigakubo, Kokubunji, Tokyo 185-8601, JPN)
,
MIYAKE T.
(Advanced Res. Lab., Hitachi Ltd., 1-280 Higashi-koigakubo, Kokubunji, Tokyo 185-8601, JPN)
,
SUZUKI K.
(Advanced Res. Lab., Hitachi Ltd., 1-280 Higashi-koigakubo, Kokubunji, Tokyo 185-8601, JPN)
,
MIKAMI Y.
(Advanced Res. Lab., Hitachi Ltd., 1-280 Higashi-koigakubo, Kokubunji, Tokyo 185-8601, JPN)
,
SHIIKI M.
(Advanced Res. Lab., Hitachi Ltd., 1-280 Higashi-koigakubo, Kokubunji, Tokyo 185-8601, JPN)
,
KUBO S.
(Advanced Res. Lab., Hitachi Ltd., 1-280 Higashi-koigakubo, Kokubunji, Tokyo 185-8601, JPN)
資料名：
Journal of Applied Physics
(Journal of Applied Physics)
巻： 106 号： 1 ページ： 014911 発行年： 2009年07月01日
JST資料番号： C0266A ISSN： 0021-8979 CODEN： JAPIAU 資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文 発行国： アメリカ合衆国 (USA) 言語： 英語 (EN)
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