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文献
J-GLOBAL ID：200902238544887589
整理番号：03A0076147
無炭素前駆体を用いた薄い酸化ハフニウム膜の原子層蒸着
Atomic layer deposition of thin hafnium oxide films using a carbon free precursor.
CONLEY J F JR
(Sharp Lab. America, Washington)
,
ONO Y
(Sharp Lab. America, Washington)
,
TWEET D J
(Sharp Lab. America, Washington)
,
ZHUANG W
(Sharp Lab. America, Washington)
,
SOLANKI R
(Oregon Graduate Inst., Oregon)
資料名：
Journal of Applied Physics
(Journal of Applied Physics)
巻： 93 号： 1 ページ： 712-718 発行年： 2003年01月01日
JST資料番号： C0266A ISSN： 0021-8979 CODEN： JAPIAU 資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文 発行国： アメリカ合衆国 (USA) 言語： 英語 (EN)
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