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文献
J-GLOBAL ID：200902238574687851
整理番号：08A1183373
パルスモードホットメッシュCVD法による窒化物半導体のエピタキシャル成長
Epitaxial growth of III-V nitride semiconductor films by pulse-mode hot-mesh CVD
小前泰彰
(長岡技科大)
,
齋藤健
(長岡技科大)
,
末光眞希
(東北大 電通研)
,
伊藤隆
(東北大 電通研)
,
遠藤哲郎
(東北大 学際科学国際高等研究セ)
,
中澤日出樹
(弘前大 理工)
,
成田克
(九州工大 工)
,
高田雅介
(長岡技科大)
,
安井寛治
(長岡技科大)
,
赤羽正志
(長岡技科大)
資料名：
電子情報通信学会技術研究報告
(IEICE Technical Report (Institute of Electronics, Information and Communication Engineers))
巻： 108 号： 269(CPM2008 75-88) ページ： 7-12 発行年： 2008年10月23日
JST資料番号： S0532B ISSN： 0913-5685 資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 原著論文 発行国： 日本 (JPN) 言語： 日本語 (JA)
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