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文献
J-GLOBAL ID：200902238815404007
整理番号：05A0154268
応力除去プレ酸化膜(SRPO)と新しいタンタル炭素合金メタルゲート/HfO2積層による短チャネルデバイスの特性改善
Improved Short Channel Device Characteristics with Stress Relieved Pre-Oxide (SRPO) And a Novel Tantalum Carbon Alloy Metal Gate/HfO2 Stack
TSENG H-H
(Freescale Semiconductor, TX, USA)
,
CAPASSO C C
(Freescale Semiconductor, TX, USA)
,
SCHAEFFER J K
(Freescale Semiconductor, TX, USA)
,
HEBERT E A
(Freescale Semiconductor, TX, USA)
,
TOBIN P J
(Freescale Semiconductor, TX, USA)
,
GILMER D C
(Freescale Semiconductor, TX, USA)
,
TRIYOSO D
(Freescale Semiconductor, TX, USA)
,
RAMON M E
(Freescale Semiconductor, TX, USA)
,
KALPAT S
(Freescale Semiconductor, TX, USA)
資料名：
Technical Digest. International Electron Devices Meeting
(Technical Digest. International Electron Devices Meeting)
巻： 2004 ページ： 821-824 発行年： 2004年
JST資料番号： C0829B ISSN： 0163-1918 資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 短報 発行国： アメリカ合衆国 (USA) 言語： 英語 (EN)
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