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文献
J-GLOBAL ID：200902238988578558
整理番号：06A0989971
ZnOエピタキシャル膜を成長させるための自己調節型三次元格子合致緩衝層: 同族系列の層状酸化物InGaO3(ZnO)5
Self-Adjusted, Three-Dimensional Lattice-Matched Buffer Layer for Growing ZnO Epitaxial Film: Homologous Series Layered Oxide, InGaO3(ZnO)5
KAMIYA Toshio
(Tokyo Inst. of Technol., Yokohama, JPN)
,
KAMIYA Toshio
,
TAKEDA Yujiro
(Tokyo Inst. of Technol., Yokohama, JPN)
,
NOMURA Kenji
,
OHTA Hiromichi
,
OHTA Hiromichi
(Nagoya Univ., Nagoya, JPN)
,
YANAGI Hiroshi
(Tokyo Inst. of Technol., Yokohama, JPN)
,
HIRANO Masahiro
,
HOSONO Hideo
(Tokyo Inst. of Technol., Yokohama, JPN)
,
HOSONO Hideo
資料名：
Crystal Growth & Design
(Crystal Growth & Design)
巻： 6 号： 11 ページ： 2451-2456 発行年： 2006年11月
JST資料番号： W1323A ISSN： 1528-7483 CODEN： CGDEFU 資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文 発行国： アメリカ合衆国 (USA) 言語： 英語 (EN)
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