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文献
J-GLOBAL ID：200902239010064443
整理番号：06A0002399
りん打込みInGaAsP/InGaAs/InP中での量子井戸相互混合に対するイオンチャネリング効果
Ion channeling effects on quantum well intermixing in phosphorus-implanted InGaAsP/InGaAs/InP
BARBA D.
(Centre de Rech. en Nanofabrication et en Nanocaracterisation, Univ. de Sherbrooke, Sherbrooke, Canada J1K 2R1)
,
SALEM B.
(Centre de Rech. en Nanofabrication et en Nanocaracterisation, Univ. de Sherbrooke, Sherbrooke, Canada J1K 2R1)
,
MORRIS D.
(Centre de Rech. en Nanofabrication et en Nanocaracterisation, Univ. de Sherbrooke, Sherbrooke, Canada J1K 2R1)
,
AIMEZ V.
(Centre de Rech. en Nanofabrication et en Nanocaracterisation, Univ. de Sherbrooke, Sherbrooke, Canada J1K 2R1)
,
BEAUVAIS J.
(Centre de Rech. en Nanofabrication et en Nanocaracterisation, Univ. de Sherbrooke, Sherbrooke, Canada J1K 2R1)
,
CHICOINE M.
(Dep. de Physique, Univ. de Montreal, Canada H3C 3J7)
,
SCHIETTEKATTE F.
(Dep. de Physique, Univ. de Montreal, Canada H3C 3J7)
資料名：
Journal of Applied Physics
(Journal of Applied Physics)
巻： 98 号： 5 ページ： 054904-054904-5 発行年： 2005年09月01日
JST資料番号： C0266A ISSN： 0021-8979 CODEN： JAPIAU 資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文 発行国： アメリカ合衆国 (USA) 言語： 英語 (EN)
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