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文献
J-GLOBAL ID：200902239266366889
整理番号：09A0034083
プラズマ化学蒸発機械加工によるGaNのエッチング特性
Etching characteristics of GaN by plasma chemical vaporization machining
NAKAHAMA Yasuji
(Sharp Corp., Nara, JPN)
,
NAKAHAMA Yasuji
(Osaka Univ., Osaka, JPN)
,
KANETSUKI Norio
(Sharp Corp., Nara, JPN)
,
FUNAKI Takeshi
(Sharp Corp., Nara, JPN)
,
KADONO Masaru
(Sharp Corp., Nara, JPN)
,
SANO Yasuhisa
(Osaka Univ., Osaka, JPN)
,
YAMAMURA Kazuya
(Osaka Univ., Osaka, JPN)
,
ENDO Katsuyoshi
(Osaka Univ., Osaka, JPN)
,
MORI Yuzo
(Osaka Univ., Osaka, JPN)
資料名：
Surface and Interface Analysis
(Surface and Interface Analysis)
巻： 40 号： 12 ページ： 1566-1570 発行年： 2008年12月
JST資料番号： E0709A ISSN： 0142-2421 CODEN： SIANDQ 資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文 発行国： イギリス (GBR) 言語： 英語 (EN)
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