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文献
J-GLOBAL ID：200902239388207900
整理番号：05A0592706
N2O中でアニールした4H-SiC MOS界面の特性
Characteristics of 4H-SiC MOS interface annealed in N2O
FUJIHIRA Keiko
(Advanced Technol. R&D Center, Mitsubishi Electric Corp., 8-1-1 Tsukaguchi-Honmachi, Amagasaki, Hyogo 661-8661, JPN)
,
TARUI Yoichiro
(Advanced Technol. R&D Center, Mitsubishi Electric Corp., 8-1-1 Tsukaguchi-Honmachi, Amagasaki, Hyogo 661-8661, JPN)
,
IMAIZUMI Masayuki
(Advanced Technol. R&D Center, Mitsubishi Electric Corp., 8-1-1 Tsukaguchi-Honmachi, Amagasaki, Hyogo 661-8661, JPN)
,
OHTSUKA Ken-ichi
(Advanced Technol. R&D Center, Mitsubishi Electric Corp., 8-1-1 Tsukaguchi-Honmachi, Amagasaki, Hyogo 661-8661, JPN)
,
TAKAMI Tetsuya
(Advanced Technol. R&D Center, Mitsubishi Electric Corp., 8-1-1 Tsukaguchi-Honmachi, Amagasaki, Hyogo 661-8661, JPN)
,
SHIRAMIZU Tatsuya
(Advanced Technol. R&D Center, Mitsubishi Electric Corp., 8-1-1 Tsukaguchi-Honmachi, Amagasaki, Hyogo 661-8661, JPN)
,
KAWASE Kazumasa
(Advanced Technol. R&D Center, Mitsubishi Electric Corp., 8-1-1 Tsukaguchi-Honmachi, Amagasaki, Hyogo 661-8661, JPN)
,
TANIMURA Jyunji
(Advanced Technol. R&D Center, Mitsubishi Electric Corp., 8-1-1 Tsukaguchi-Honmachi, Amagasaki, Hyogo 661-8661, JPN)
,
OZEKI Tatsuo
(Advanced Technol. R&D Center, Mitsubishi Electric Corp., 8-1-1 Tsukaguchi-Honmachi, Amagasaki, Hyogo 661-8661, JPN)
資料名：
Solid-State Electronics
(Solid-State Electronics)
巻： 49 号： 6 ページ： 896-901 発行年： 2005年06月
JST資料番号： H0225A ISSN： 0038-1101 資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文 発行国： イギリス (GBR) 言語： 英語 (EN)
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