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文献
J-GLOBAL ID：200902239430745500
整理番号：06A0954427
700V 1.0mΩ・cm2埋め込みゲートSiC-SIT(SiC-BGSIT)
700-V 1.0mΩ cm2 Buried Gate SiC-SIT (SiC-BGSIT)
TANAKA Yasunori
(National Inst. Advanced Industrial Sci. and Technol., Ibaraki, JPN)
,
OKAMOTO Mitsuo
(National Inst. Advanced Industrial Sci. and Technol., Ibaraki, JPN)
,
TAKATSUKA Akio
(National Inst. Advanced Industrial Sci. and Technol., Ibaraki, JPN)
,
ARAI Kazuo
(National Inst. Advanced Industrial Sci. and Technol., Ibaraki, JPN)
,
YATSUO Tsutomu
(National Inst. Advanced Industrial Sci. and Technol., Ibaraki, JPN)
,
YANO Koji
(Yamanashi Univ., Yamanashi, JPN)
,
KASUGA Masanobu
(Yamanashi Univ., Yamanashi, JPN)
資料名：
IEEE Electron Device Letters
(IEEE Electron Device Letters)
巻： 27 号： 11 ページ： 908-910 発行年： 2006年11月
JST資料番号： B0344B ISSN： 0741-3106 CODEN： EDLEDZ 資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 短報 発行国： アメリカ合衆国 (USA) 言語： 英語 (EN)
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