文献
J-GLOBAL ID:200902239551309031
整理番号:04A0656941
ノーマリオフ動作,パワーAlGaN/GaN・HFET
Normally-off operation power AlGaN/GaN HFET
著者 (3件):
IKEDA N
(Furukawa Electric Co., Ltd., Kanagawa, JPN)
,
LI J
(Furukawa Electric Co., Ltd., Kanagawa, JPN)
,
YOSHIDA S
(Furukawa Electric Co., Ltd., Kanagawa, JPN)
資料名:
Proceedings. International Symposium on Power Semiconductor Devices and ICs
(Proceedings. International Symposium on Power Semiconductor Devices and ICs)
巻:
16th
ページ:
369-372
発行年:
2004年
JST資料番号:
W1300A
ISSN:
1943-653X
資料種別:
会議録 (C)
記事区分:
原著論文
発行国:
アメリカ合衆国 (USA)
言語:
英語 (EN)