文献
J-GLOBAL ID:200902239564822897
整理番号:09A0821891
レーザ支援原子プローブによるn-及びp-型金属-酸化物-半導体電界効果トランジスタのゲート電極におけるドーパント分布
Dopant distribution in gate electrode of n- and p-type metal-oxide-semiconductor field effect transistor by laser-assisted atom probe
著者 (7件):
INOUE K.
(The Oarai Center, Inst. for Materials Res., Tohoku Univ., Oarai, Ibaraki 311-1313, JPN)
,
YANO F.
(MIRAI-Selete, Tsukuba, Ibaraki 305-8569, JPN)
,
NISHIDA A.
(MIRAI-Selete, Tsukuba, Ibaraki 305-8569, JPN)
,
TAKAMIZAWA H.
(The Oarai Center, Inst. for Materials Res., Tohoku Univ., Oarai, Ibaraki 311-1313, JPN)
,
TSUNOMURA T.
(MIRAI-Selete, Tsukuba, Ibaraki 305-8569, JPN)
,
NAGAI Y.
(The Oarai Center, Inst. for Materials Res., Tohoku Univ., Oarai, Ibaraki 311-1313, JPN)
,
HASEGAWA M.
(Cyclotron and Radioisotope Center, Tohoku Univ., Sendai, Miyagi 980-8577, JPN)
資料名:
Applied Physics Letters
(Applied Physics Letters)
巻:
95
号:
4
ページ:
043502
発行年:
2009年07月27日
JST資料番号:
H0613A
ISSN:
0003-6951
CODEN:
APPLAB
資料種別:
逐次刊行物 (A)
記事区分:
短報
発行国:
アメリカ合衆国 (USA)
言語:
英語 (EN)