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文献
J-GLOBAL ID：200902239586379474
整理番号：05A0715910
イオン注入SiC結晶の深紫外Raman散乱評価
Deep ultraviolet Raman scattering characterization of ion-implanted SiC crystals
NAKASHIMA S.
(National Inst. Advanced Industrial Sci. and Technol., Tsukuba, JPN)
,
MITANI T.
(National Inst. Advanced Industrial Sci. and Technol., Tsukuba, JPN)
,
SENZAKI J.
(National Inst. Advanced Industrial Sci. and Technol., Tsukuba, JPN)
,
OKUMURA H.
(National Inst. Advanced Industrial Sci. and Technol., Tsukuba, JPN)
,
YAMAMOTO T.
(Sumitomo Chemical Co. Ltd., Ibaraki, JPN)
資料名：
Journal of Applied Physics
(Journal of Applied Physics)
巻： 97 号： 12 ページ： 123507.1-123507.8 発行年： 2005年06月15日
JST資料番号： C0266A ISSN： 0021-8979 CODEN： JAPIAU 資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文 発行国： アメリカ合衆国 (USA) 言語： 英語 (EN)
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