文献
J-GLOBAL ID:200902239665274041
整理番号:06A0354707
超薄高分子ゲート誘電体を有する低電圧ペンタセン電界効果トランジス
Low-voltage pentacene field-effect transistors with ultrathin polymer gate dielectrics
著者 (5件):
YANG Sang Yoon
(Dep. of Chemical Engineering, Polymer Res. Inst., Pohang Univ. of Sci. and Technol., Pohang 790-784, KOR)
,
KIM Se Hyun
(Dep. of Chemical Engineering, Polymer Res. Inst., Pohang Univ. of Sci. and Technol., Pohang 790-784, KOR)
,
SHIN Kwonwoo
(Dep. of Chemical Engineering, Polymer Res. Inst., Pohang Univ. of Sci. and Technol., Pohang 790-784, KOR)
,
JEON Hayoung
(Dep. of Chemical Engineering, Polymer Res. Inst., Pohang Univ. of Sci. and Technol., Pohang 790-784, KOR)
,
PARK Chan Eon
(Dep. of Chemical Engineering, Polymer Res. Inst., Pohang Univ. of Sci. and Technol., Pohang 790-784, KOR)
資料名:
Applied Physics Letters
(Applied Physics Letters)
巻:
88
号:
17
ページ:
173507-173507-3
発行年:
2006年04月24日
JST資料番号:
H0613A
ISSN:
0003-6951
CODEN:
APPLAB
資料種別:
逐次刊行物 (A)
記事区分:
短報
発行国:
アメリカ合衆国 (USA)
言語:
英語 (EN)