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文献
J-GLOBAL ID：200902240137265489
整理番号：05A0592701
サファイア上のエピタキシャルn-GaNのHooge雑音パラメータ
Hooge noise parameter of epitaxial n-GaN on sapphire
TANUMA Nobuhisa
(Meisei Univ., Hino, Tokyo 191-8506, JPN)
,
TACANO Munecazu
(Meisei Univ., Hino, Tokyo 191-8506, JPN)
,
PAVELKA Jan
(Meisei Univ., Hino, Tokyo 191-8506, JPN)
,
PAVELKA Jan
(Brno Univ. of Technol., Technicka 8, 61600 Brno, CZE)
,
HASHIGUCHI Sumihisa
(Yamanashi Univ., Kofu 400-8511, JPN)
,
SIKULA Josef
(Brno Univ. of Technol., Technicka 8, 61600 Brno, CZE)
,
MATSUI Toshiaki
(National Inst. of Information and Communications Technol., Koganei, Tokyo 187-8795, JPN)
資料名：
Solid-State Electronics
(Solid-State Electronics)
巻： 49 号： 6 ページ： 865-870 発行年： 2005年06月
JST資料番号： H0225A ISSN： 0038-1101 資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文 発行国： イギリス (GBR) 言語： 英語 (EN)
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