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文献
J-GLOBAL ID:200902240137265489   整理番号:05A0592701

サファイア上のエピタキシャルn-GaNのHooge雑音パラメータ

Hooge noise parameter of epitaxial n-GaN on sapphire
著者 (7件):
TANUMA Nobuhisa
(Meisei Univ., Hino, Tokyo 191-8506, JPN)
TACANO Munecazu
(Meisei Univ., Hino, Tokyo 191-8506, JPN)
PAVELKA Jan
(Meisei Univ., Hino, Tokyo 191-8506, JPN)
PAVELKA Jan
(Brno Univ. of Technol., Technicka 8, 61600 Brno, CZE)
HASHIGUCHI Sumihisa
(Yamanashi Univ., Kofu 400-8511, JPN)
SIKULA Josef
(Brno Univ. of Technol., Technicka 8, 61600 Brno, CZE)
MATSUI Toshiaki
(National Inst. of Information and Communications Technol., Koganei, Tokyo 187-8795, JPN)

資料名:
Solid-State Electronics  (Solid-State Electronics)

巻: 49  号:ページ: 865-870  発行年: 2005年06月 
JST資料番号: H0225A  ISSN: 0038-1101  資料種別: 逐次刊行物 (A)
記事区分: 原著論文  発行国: イギリス (GBR)  言語: 英語 (EN)
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