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文献
J-GLOBAL ID：200902240191062631
整理番号：08A0141575
NiGe内のドーパント偏析による金属-ゲルマニウム-金属光検知器の暗電流抑制-Schottky障壁
Dark-Current Suppression in Metal-Germanium-Metal Photodetectors Through Dopant-Segregation in NiGe-Schottky Barrier
ZANG H.
(Inst. Microelectronics, Singapore, SGP)
,
LEE S. J.
(National Univ. Singapore, Singapore)
,
LOH W. Y.
(Inst. Microelectronics, Singapore, SGP)
,
WANG J.
(Inst. Microelectronics, Singapore, SGP)
,
CHUA K. T.
(Inst. Microelectronics, Singapore, SGP)
,
YU M. B.
(Inst. Microelectronics, Singapore, SGP)
,
CHO B. J.
(National Univ. Singapore, Singapore)
,
LO G. Q.
(Inst. Microelectronics, Singapore, SGP)
,
KWONG D.-L.
(Inst. Microelectronics, Singapore, SGP)
資料名：
IEEE Electron Device Letters
(IEEE Electron Device Letters)
巻： 29 号： 2 ページ： 161-164 発行年： 2008年02月
JST資料番号： B0344B ISSN： 0741-3106 CODEN： EDLEDZ 資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 短報 発行国： アメリカ合衆国 (USA) 言語： 英語 (EN)
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