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文献
J-GLOBAL ID:200902240211164029   整理番号:05A0351699

室温で製作した完全透明ZnO薄膜トランジスタ

Fully Transparent ZnO Thin-Film Transistor Produced at Room Temperature
著者 (7件):
FORTUNATO ELVIRA M C
(New Univ. Lisbon and CEMOP-UNINOVA, Caparica, PRT)
BARQUINHA PEDRO M C
(New Univ. Lisbon and CEMOP-UNINOVA, Caparica, PRT)
PIMENTEL ANA C M B G
(New Univ. Lisbon and CEMOP-UNINOVA, Caparica, PRT)
GONCALVES ALEXANDRA M F
(New Univ. Lisbon and CEMOP-UNINOVA, Caparica, PRT)
MARQUES ANTONIO J S
(New Univ. Lisbon and CEMOP-UNINOVA, Caparica, PRT)
PEREIRA LUIS M N
(New Univ. Lisbon and CEMOP-UNINOVA, Caparica, PRT)
MARTINS RODRIGO F P
(New Univ. Lisbon and CEMOP-UNINOVA, Caparica, PRT)

資料名:
Advanced Materials  (Advanced Materials)

巻: 17  号:ページ: 590-594  発行年: 2005年03月08日 
JST資料番号: W0001A  ISSN: 0935-9648  CODEN: ADVMEW  資料種別: 逐次刊行物 (A)
記事区分: 短報  発行国: ドイツ (DEU)  言語: 英語 (EN)
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