文献
J-GLOBAL ID:200902240211164029
整理番号:05A0351699
室温で製作した完全透明ZnO薄膜トランジスタ
Fully Transparent ZnO Thin-Film Transistor Produced at Room Temperature
著者 (7件):
FORTUNATO ELVIRA M C
(New Univ. Lisbon and CEMOP-UNINOVA, Caparica, PRT)
,
BARQUINHA PEDRO M C
(New Univ. Lisbon and CEMOP-UNINOVA, Caparica, PRT)
,
PIMENTEL ANA C M B G
(New Univ. Lisbon and CEMOP-UNINOVA, Caparica, PRT)
,
GONCALVES ALEXANDRA M F
(New Univ. Lisbon and CEMOP-UNINOVA, Caparica, PRT)
,
MARQUES ANTONIO J S
(New Univ. Lisbon and CEMOP-UNINOVA, Caparica, PRT)
,
PEREIRA LUIS M N
(New Univ. Lisbon and CEMOP-UNINOVA, Caparica, PRT)
,
MARTINS RODRIGO F P
(New Univ. Lisbon and CEMOP-UNINOVA, Caparica, PRT)
資料名:
Advanced Materials
(Advanced Materials)
巻:
17
号:
5
ページ:
590-594
発行年:
2005年03月08日
JST資料番号:
W0001A
ISSN:
0935-9648
CODEN:
ADVMEW
資料種別:
逐次刊行物 (A)
記事区分:
短報
発行国:
ドイツ (DEU)
言語:
英語 (EN)