文献
J-GLOBAL ID:200902240419608494
整理番号:04A0609158
ウエハボンディングによるゲルマニウム・オン・絶縁体基板
Germanium-on-Insulator Substrates by Wafer Bonding
著者 (9件):
TRACY C J
(Motorola Semiconductor Products Sector, AZ)
,
FEJES P
(Motorola Semiconductor Products Sector, AZ)
,
THEODORE N D
(Motorola Semiconductor Products Sector, AZ)
,
MANIAR P
(Motorola Labs, AZ)
,
JOHNSON E
(Motorola Labs, AZ)
,
LAMM A J
(Silicon Genesis Corp., CA)
,
PALER A M
(Silicon Genesis Corp., CA)
,
MALIK I J
(Silicon Genesis Corp., CA)
,
ONG P
(Silicon Genesis Corp., CA)
資料名:
Journal of Electronic Materials
(Journal of Electronic Materials)
巻:
33
号:
8
ページ:
886-892
発行年:
2004年08月
JST資料番号:
D0277B
ISSN:
0361-5235
資料種別:
逐次刊行物 (A)
記事区分:
原著論文
発行国:
アメリカ合衆国 (USA)
言語:
英語 (EN)