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文献
J-GLOBAL ID：200902240445160213
整理番号：04A0710033
水素化非晶質炭素薄膜の電気的,構造的特性へのシリコンドーピングと熱処理の効果
The effect of silicon doping and thermal annealing on the electrical and structural properties of hydrogenated amorphous carbon thin films
OKPALUGO T I T
(Univ. Ulster, Belfast, GBR)
,
MAGUIRE P D
(Univ. Ulster, Belfast, GBR)
,
OGWU A A
(Univ. Ulster, Belfast, GBR)
,
MCLAUGHLIN J A D
(Univ. Ulster, Belfast, GBR)
資料名：
Diamond and Related Materials
(Diamond and Related Materials)
巻： 13 号： 4/8 ページ： 1549-1552 発行年： 2004年04月
JST資料番号： W0498A ISSN： 0925-9635 資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文 発行国： オランダ (NLD) 言語： 英語 (EN)
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