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文献
J-GLOBAL ID：200902240848595600
整理番号：08A0996455
RFスパッタリング法で作製したGe/TiO2薄膜中のアナターゼ優勢基質
Anatase-Dominant Matrix in Ge/TiO2 Thin Films Prepared by RF Sputtering Method
ABE Seishi
(Res. Inst. Electric and Magnetic Materials, Sendai, JPN)
,
OHNUMA Masato
(National Inst. Materials Sci., Ibaraki, JPN)
,
PING De Hai
(National Inst. Materials Sci., Ibaraki, JPN)
,
OHNUMA Shigehiro
(Res. Inst. Electric and Magnetic Materials, Sendai, JPN)
資料名：
Applied Physics Express
(Applied Physics Express)
巻： 1 号： 9 ページ： 095001.1-095001.3 発行年： 2008年09月25日
JST資料番号： F0599C ISSN： 1882-0778 CODEN： APEPC4 資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 短報 発行国： イギリス (GBR) 言語： 英語 (EN)
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