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文献
J-GLOBAL ID：200902240863873765
整理番号：04A0150966
SiO2上のCuの拡散障壁としてのTiN,TaN及びWxN:バイアス温度ストレス後の容量電圧,漏れ電流,及び三角電圧掃引試験
TiN, TaN and WxN as diffusion barriers for Cu on SiO2: capacitance-voltage, leakage current, and triangular-voltage-sweep tests after bias temperature stress
KIZIL H
(Rensselaer Polytechnic Inst., NY, USA)
,
STEINBRUECHEL C
(Rensselaer Polytechnic Inst., NY, USA)
資料名：
Thin Solid Films
(Thin Solid Films)
巻： 449 号： 1/2 ページ： 158-165 発行年： 2004年02月02日
JST資料番号： B0899A ISSN： 0040-6090 資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文 発行国： オランダ (NLD) 言語： 英語 (EN)
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