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文献
J-GLOBAL ID：200902241131125665
整理番号：09A1243734
金属-絶縁体-半導体ゲートスタックの界面ゲート絶縁体形成用としてのゲルマニウムのラジカル酸化
Radical oxidation of germanium for interface gate dielectric GeO2 formation in metal-insulator-semiconductor gate stack
KOBAYASHI Masaharu
(Dep. of Electrical Engineering, Stanford Univ., 420 Via Palou Mall, Stanford, California 94305, USA)
,
THAREJA Gaurav
(Dep. of Electrical Engineering, Stanford Univ., 420 Via Palou Mall, Stanford, California 94305, USA)
,
ISHIBASHI Masato
(Dep. of Electrical Engineering, Stanford Univ., 420 Via Palou Mall, Stanford, California 94305, USA)
,
SUN Yun
(Stanford Synchrotron Radiation Lab., Stanford Linear Acceleration Center, Menlo Park, California 94305, USA)
,
GRIFFIN Peter
(Dep. of Electrical Engineering, Stanford Univ., 420 Via Palou Mall, Stanford, California 94305, USA)
,
MCVITTIE Jim
(Dep. of Electrical Engineering, Stanford Univ., 420 Via Palou Mall, Stanford, California 94305, USA)
,
PIANETTA Piero
(Stanford Synchrotron Radiation Lab., Stanford Linear Acceleration Center, Menlo Park, California 94305, USA)
,
SARASWAT Krishna
(Dep. of Electrical Engineering, Stanford Univ., 420 Via Palou Mall, Stanford, California 94305, USA)
,
NISHI Yoshio
(Dep. of Electrical Engineering, Stanford Univ., 420 Via Palou Mall, Stanford, California 94305, USA)
資料名：
Journal of Applied Physics
(Journal of Applied Physics)
巻： 106 号： 10 ページ： 104117 発行年： 2009年11月15日
JST資料番号： C0266A ISSN： 0021-8979 CODEN： JAPIAU 資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文 発行国： アメリカ合衆国 (USA) 言語： 英語 (EN)
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