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文献
J-GLOBAL ID：200902241178832386
整理番号：07A0862924
AlGaN/GaNへテロ構造上のSchottkyゲート付近における表面伝導の機構
Mechanism of surface conduction in the vicinity of Schottky gates on AlGaN/GaN heterostructures
KOTANI Junji
(Res. Center for Integrated Quantum Electronics (RCIQE), Hokkaido Univ., Sapporo 060-8628, JPN)
,
TAJIMA Masafumi
(Res. Center for Integrated Quantum Electronics (RCIQE), Hokkaido Univ., Sapporo 060-8628, JPN)
,
KASAI Seiya
(Res. Center for Integrated Quantum Electronics (RCIQE), Hokkaido Univ., Sapporo 060-8628, JPN)
,
HASHIZUME Tamotsu
(Res. Center for Integrated Quantum Electronics (RCIQE), Hokkaido Univ., Sapporo 060-8628, JPN)
資料名：
Applied Physics Letters
(Applied Physics Letters)
巻： 91 号： 9 ページ： 093501-1-093501-3 発行年： 2007年08月27日
JST資料番号： H0613A ISSN： 0003-6951 CODEN： APPLAB 資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 短報 発行国： アメリカ合衆国 (USA) 言語： 英語 (EN)
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