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文献
J-GLOBAL ID：200902241511646510
整理番号：05A0677516
塩化水素ガスによるシリコン表面エッチングの支配的速度過程
Dominant rate process of silicon surface etching by hydrogen chloride gas
HABUKA Hitoshi
(Dep. of Chemical Engineering Sci., Yokohama National Univ., 79-5 Tokiwadai, Hodogaya, Yokohama, Kanagawa 240-8501, JPN)
,
SUZUKI Takahiro
(Dep. of Chemical Engineering Sci., Yokohama National Univ., 79-5 Tokiwadai, Hodogaya, Yokohama, Kanagawa 240-8501, JPN)
,
YAMAMOTO Sunao
(Dep. of Chemical Engineering Sci., Yokohama National Univ., 79-5 Tokiwadai, Hodogaya, Yokohama, Kanagawa 240-8501, JPN)
,
NAKAMURA Akio
(Dep. of Chemical Engineering Sci., Yokohama National Univ., 79-5 Tokiwadai, Hodogaya, Yokohama, Kanagawa 240-8501, JPN)
,
TAKEUCHI Takashi
(Dep. of Chemical Engineering Sci., Yokohama National Univ., 79-5 Tokiwadai, Hodogaya, Yokohama, Kanagawa 240-8501, JPN)
,
AIHARA Masahiko
(Dep. of Chemical Engineering Sci., Yokohama National Univ., 79-5 Tokiwadai, Hodogaya, Yokohama, Kanagawa 240-8501, JPN)
資料名：
Thin Solid Films
(Thin Solid Films)
巻： 489 号： 1-2 ページ： 104-110 発行年： 2005年10月01日
JST資料番号： B0899A ISSN： 0040-6090 資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文 発行国： オランダ (NLD) 言語： 英語 (EN)
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