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文献
J-GLOBAL ID：200902241553670771
整理番号：04A0797821
4H-SiCエピタキシャル層の基底面転位におよぼす成長条件の影響
Influence of growth conditions on basal plane dislocation in 4H-SiC epitaxial layer
OHNO T
(R&D Assoc. for Future Electron Devices (FED), Ibaraki, JPN)
,
YAMAGUCHI H
(National Inst. of Advanced Industrial Sci. and Technol. (AIST), Ibaraki, JPN)
,
KURODA S
(National Inst. of Advanced Industrial Sci. and Technol. (AIST), Ibaraki, JPN)
,
KOJIMA K
(National Inst. of Advanced Industrial Sci. and Technol. (AIST), Ibaraki, JPN)
,
SUZUKI T
(R&D Assoc. for Future Electron Devices (FED), Ibaraki, JPN)
,
ARAI K
(National Inst. of Advanced Industrial Sci. and Technol. (AIST), Ibaraki, JPN)
資料名：
Journal of Crystal Growth
(Journal of Crystal Growth)
巻： 271 号： 1/2 ページ： 1-7 発行年： 2004年10月15日
JST資料番号： B0942A ISSN： 0022-0248 資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文 発行国： オランダ (NLD) 言語： 英語 (EN)
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