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文献
J-GLOBAL ID：200902241561933048
整理番号：06A0421072
プラズマ窒化法および高温窒化後アニーリングを用いた,サブナノメータの等価酸化厚さを有する高移動度窒化けい酸ハフニウムゲート誘電体の作製
Fabrication of High-Mobility Nitrided Hafnium Silicate Gate Dielectrics with Sub-1-nm Equivalent Oxide Thickness Using Plasma Nitridation and High-Temperature Postnitridation Annealing
INUMIYA Seiji
(Semiconductor Leading Edge Technol., Inc., Ibaraki, JPN)
,
MIURA Takayoshi
(Semiconductor Leading Edge Technol., Inc., Ibaraki, JPN)
,
SHIRAI Kiyoshi
(Semiconductor Leading Edge Technol., Inc., Ibaraki, JPN)
,
MATSUKI Takeo
(Semiconductor Leading Edge Technol., Inc., Ibaraki, JPN)
,
TORII Kazuyoshi
(Semiconductor Leading Edge Technol., Inc., Ibaraki, JPN)
,
NARA Yasuo
(Semiconductor Leading Edge Technol., Inc., Ibaraki, JPN)
資料名：
Japanese Journal of Applied Physics. Part 1. Regular Papers, Short Notes & Review Papers
(Japanese Journal of Applied Physics. Part 1. Regular Papers, Short Notes & Review Papers)
巻： 45 号： 4B ページ： 2898-2902 発行年： 2006年04月30日
JST資料番号： G0520B ISSN： 0021-4922 資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文 発行国： 日本 (JPN) 言語： 英語 (EN)
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