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文献
J-GLOBAL ID：200902241591507841
整理番号：07A0342819
Geを基本とする金属-絶縁体-半導体構造における電子サイクロトロンプラズマ窒化法およびスパッタリング法によって形成したTa2O5/GeNxの積層型ゲート絶縁体
Fabrication of Ta2O5/GeNx gate insulator stack for Ge metal-insulator-semiconductor structures by electron-cyclotron-resonance plasma nitridation and sputtering deposition techniques
OTANI Yohei
(Tokyo Univ. of Sci., Suwa, 5000-1 Toyohira, Chino, Nagano 391-0292, JPN)
,
ITAYAMA Yasuhiro
(Tokyo Univ. of Sci., Suwa, 5000-1 Toyohira, Chino, Nagano 391-0292, JPN)
,
TANAKA Takuo
(Tokyo Univ. of Sci., Suwa, 5000-1 Toyohira, Chino, Nagano 391-0292, JPN)
,
FUKUDA Yukio
(Tokyo Univ. of Sci., Suwa, 5000-1 Toyohira, Chino, Nagano 391-0292, JPN)
,
TOYOTA Hiroshi
(Hirosaki Univ., 3 Bunkyo-cho, Hirosaki, Aomori 036-8561, JPN)
,
ONO Toshiro
(Hirosaki Univ., 3 Bunkyo-cho, Hirosaki, Aomori 036-8561, JPN)
,
MITSUI Minoru
(Univ. of Yamanashi, 7 Miyamae-cho, Kofu, Yamanashi 400-8511, JPN)
,
NAKAGAWA Kiyokazu
(Univ. of Yamanashi, 7 Miyamae-cho, Kofu, Yamanashi 400-8511, JPN)
資料名：
Applied Physics Letters
(Applied Physics Letters)
巻： 90 号： 14 ページ： 142114-142114-3 発行年： 2007年04月02日
JST資料番号： H0613A ISSN： 0003-6951 CODEN： APPLAB 資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 短報 発行国： アメリカ合衆国 (USA) 言語： 英語 (EN)
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