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文献
J-GLOBAL ID：200902241609952783
整理番号：08A0979143
200kVA級高出力SiCGTインバータのターンオンスナッバ用の強く電子照射した高抵抗4H-SiC PINダイオード
Heavily Electron-irradiated High Resistive 4H-SiC pin diode for Turn-on Snubber of 200kVA Class High Power SiCGT Inverter
ASANO Katsunori
(Kansai Electric Power Co., Inc., Amagasaki, JPN)
,
SUGAWARA Yoshitaka
(Kansai Electric Power Co., Inc., Amagasaki, JPN)
,
TANAKA Atsushi
(Kansai Electric Power Co., Inc., Amagasaki, JPN)
,
MIYANAGI Yoichi
(Kansai Electric Power Co., Inc., Amagasaki, JPN)
,
NAKAYAMA Koji
(Kansai Electric Power Co., Inc., Amagasaki, JPN)
,
OGATA Shuji
(Kansai Electric Power Co., Inc., Amagasaki, JPN)
,
OKADA Shinichi
(Kansai Electric Power Co., Inc., Amagasaki, JPN)
,
IZUMI Toru
(Kansai Electric Power Co., Inc., Amagasaki, JPN)
,
ISHII Ryusuke
(Kansai Electric Power Co., Inc., Amagasaki, JPN)
資料名：
Proceedings. International Symposium on Power Semiconductor Devices and ICs
(Proceedings. International Symposium on Power Semiconductor Devices and ICs)
巻： 20th ページ： 256-259 発行年： 2008年
JST資料番号： W1300A ISSN： 1943-653X 資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 短報 発行国： アメリカ合衆国 (USA) 言語： 英語 (EN)
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