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文献
J-GLOBAL ID：200902241628277060
整理番号：04A0094355
新しきい値スイッチング自己整流カルコゲン化物デバイスを用いたアクセストランジスタフリー(0T/1R)不揮発性レジスタンスランダムアクセスメモリ(RRAM)
An Access-Transistor-Free (0T/1R) Non-Volatile Resistance Random Access Memory (RRAM) Using a Novel Threshold Switching, Self-Rectifying Chalcogenide Device
CHEN Y-C
(Macronix International Co., Ltd., Hsin-Chu, TWN)
,
CHEN C F
(Macronix International Co., Ltd., Hsin-Chu, TWN)
,
CHEN C T
(Macronix International Co., Ltd., Hsin-Chu, TWN)
,
YU J Y
(Macronix International Co., Ltd., Hsin-Chu, TWN)
,
WU S
(Macronix International Co., Ltd., Hsin-Chu, TWN)
,
LUNG S L
(Macronix International Co., Ltd., Hsin-Chu, TWN)
,
LIU R
(Macronix International Co., Ltd., Hsin-Chu, TWN)
,
LU C-Y
(Macronix International Co., Ltd., Hsin-Chu, TWN)
資料名：
Technical Digest. International Electron Devices Meeting
(Technical Digest. International Electron Devices Meeting)
巻： 2003 ページ： 905-908 発行年： 2003年
JST資料番号： C0829B ISSN： 0163-1918 資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 短報 発行国： アメリカ合衆国 (USA) 言語： 英語 (EN)
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