文献
J-GLOBAL ID:200902241767666305
整理番号:09A0404878
8MB/s書き込みレートを有する56nmにおける16Gb 3b/セルNANDフラッシュメモリ
A 16Gb 3b/Cell NAND Flash Memory in 56nm with 8MB/s Write Rate
著者 (40件):
LI Yan
(SanDisk, CA)
,
LEE Seungpil
(SanDisk, CA)
,
FONG Yupin
(SanDisk, CA)
,
PAN Feng
(SanDisk, CA)
,
KUO Tien-Chien
(SanDisk, CA)
,
PARK Jong
(SanDisk, CA)
,
SAMADDAR Tapan
(SanDisk, CA)
,
NGUYEN Hao
(SanDisk, CA)
,
MUI Man
(SanDisk, CA)
,
HTOO Khin
(SanDisk, CA)
,
KAMEI Teruhiko
(SanDisk, CA)
,
HIGASHITANI Masaaki
(SanDisk, CA)
,
YERO Emilio
(SanDisk, CA)
,
KWON Gyuwan
(SanDisk, CA)
,
KLIZA Phil
(SanDisk, CA)
,
WAN Jun
(SanDisk, CA)
,
KANEKO Tetsuya
(Toshiba Semiconductor, Yokohama, JPN)
,
MAEJIMA Hiroshi
(Toshiba Semiconductor, Yokohama, JPN)
,
SHIGA Hitoshi
(Toshiba Semiconductor, Yokohama, JPN)
,
HAMADA Makoto
(Toshiba Semiconductor, Yokohama, JPN)
,
FUJITA Norihiro
(Toshiba Semiconductor, Yokohama, JPN)
,
KANEBAKO Kazunori
(Toshiba Semiconductor, Yokohama, JPN)
,
TAM Eugene
(SanDisk, CA)
,
KOH Anne
(SanDisk, CA)
,
LU Iris
(SanDisk, CA)
,
KUO Calvin
(SanDisk, CA)
,
PHAM Trung
(SanDisk, CA)
,
HUYNH Jonathan
(SanDisk, CA)
,
NGUYEN Qui
(SanDisk, CA)
,
CHIBVONGODZE Hardwell
(SanDisk, CA)
,
WATANABE Mitsuyuki
(SanDisk, CA)
,
OOWADA Ken
(SanDisk, CA)
,
SHAH Grishma
(SanDisk, CA)
,
WOO Byungki
(SanDisk, CA)
,
GAO Ray
(SanDisk, CA)
,
CHAN James
(SanDisk, CA)
,
LAN James
(SanDisk, CA)
,
HONG Patrick
(SanDisk, CA)
,
PENG Liping
(SanDisk, CA)
,
DAS Debi
(SanDisk, CA)
資料名:
Digest of Technical Papers. IEEE International Solid-State Circuits Conference
(Digest of Technical Papers. IEEE International Solid-State Circuits Conference)
巻:
2008 Vol.1
ページ:
506-507
発行年:
2008年
JST資料番号:
D0753A
ISSN:
0193-6530
資料種別:
会議録 (C)
記事区分:
短報
発行国:
アメリカ合衆国 (USA)
言語:
英語 (EN)