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文献
J-GLOBAL ID：200902242036650007
整理番号：03A0487140
(100)および(111)シリコン基板上のポリシリコンゲートHfO2 MOSFETの特性
Performance of Polysilicon Gate HfO2 MOSFETs on (100) and (111) Silicon Substrates
ONISHI K
(Univ. Texas, TX, USA)
,
KANG C S
(Univ. Texas, TX, USA)
,
CHOI R
(Univ. Texas, TX, USA)
,
CHO H-J
(Univ. Texas, TX, USA)
,
KIM Y H
(Univ. Texas, TX, USA)
,
KRISHNAN S
(Univ. Texas, TX, USA)
,
AKBAR M S
(Univ. Texas, TX, USA)
,
LEE J C
(Univ. Texas, TX, USA)
資料名：
IEEE Electron Device Letters
(IEEE Electron Device Letters)
巻： 24 号： 4 ページ： 254-256 発行年： 2003年04月
JST資料番号： B0344B ISSN： 0741-3106 CODEN： EDLEDZ 資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 短報 発行国： アメリカ合衆国 (USA) 言語： 英語 (EN)
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