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文献
J-GLOBAL ID：200902242149924065
整理番号：05A0013140
イオン衝撃遅延エッチングの使用により作製した超薄縦型DG MOSFET
Ultrathin Channel Vertical DG MOSFET Fabricated by Using Ion-Bombardment-Retarded Etching
MASAHARA M
(National Inst. Advanced Industrial Sci. and Technol. (AIST), Ibaraki, JPN)
,
LIU Y
(National Inst. Advanced Industrial Sci. and Technol. (AIST), Ibaraki, JPN)
,
HOSOKAWA S
(National Inst. Advanced Industrial Sci. and Technol. (AIST), Ibaraki, JPN)
,
MATSUKAWA T
(National Inst. Advanced Industrial Sci. and Technol. (AIST), Ibaraki, JPN)
,
ISHII K
(National Inst. Advanced Industrial Sci. and Technol. (AIST), Ibaraki, JPN)
,
TANOUE H
(National Inst. Advanced Industrial Sci. and Technol. (AIST), Ibaraki, JPN)
,
SAKAMOTO K
(National Inst. Advanced Industrial Sci. and Technol. (AIST), Ibaraki, JPN)
,
SEKIGAWA T
(National Inst. Advanced Industrial Sci. and Technol. (AIST), Ibaraki, JPN)
,
YAMAUCHI H
(National Inst. Advanced Industrial Sci. and Technol. (AIST), Ibaraki, JPN)
資料名：
IEEE Transactions on Electron Devices
(IEEE Transactions on Electron Devices)
巻： 51 号： 12 ページ： 2078-2085 発行年： 2004年12月
JST資料番号： C0222A ISSN： 0018-9383 CODEN： IETDAI 資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文 発行国： アメリカ合衆国 (USA) 言語： 英語 (EN)
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