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文献
J-GLOBAL ID：200902242192413147
整理番号：05A0728332
HMS整流器:無障壁低下,低漏れ電流および高絶縁破壊電圧を持つ新規ハイブリッドMOS・Schottkyダイオード概念
HMS Rectifier: A Novel Hybrid MOS Schottky Diode Concept with No Barrier Lowering, Low Leakage Current and High Breakdown Voltage
KHEMKA V.
(Freescale Semiconductor, AZ)
,
PARTHASARATHY V.
(Freescale Semiconductor, AZ)
,
ZHU R.
(Freescale Semiconductor, AZ)
,
BOSE A.
(Freescale Semiconductor, AZ)
資料名：
Proceedings. International Symposium on Power Semiconductor Devices and ICs
(Proceedings. International Symposium on Power Semiconductor Devices and ICs)
巻： 17th ページ： 51-54 発行年： 2005年
JST資料番号： W1300A ISSN： 1943-653X 資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 原著論文 発行国： アメリカ合衆国 (USA) 言語： 英語 (EN)
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