文献
J-GLOBAL ID:200902242449026328
整理番号:09A0806380
酸化還元に基づく抵抗スイッチングメモリ ナノイオン機構,展望,および挑戦
Redox-Based Resistive Switching Memories - Nanoionic Mechanisms, Prospects, and Challenges
著者 (9件):
WASER Rainer
(Juelich-Aachen Res. Alliance Section Fundamentals of Future Information Technol. (JARA-FIT), Juelich, DEU)
,
WASER Rainer
(Forschungszentrum Juelich, Juelich, DEU)
,
WASER Rainer
(RWTH Aachen Univ., Aachen, DEU)
,
DITTMANN Regina
(Juelich-Aachen Res. Alliance Section Fundamentals of Future Information Technol. (JARA-FIT), Juelich, DEU)
,
DITTMANN Regina
(Forschungszentrum Juelich, Juelich, DEU)
,
STAIKOV Georgi
(Juelich-Aachen Res. Alliance Section Fundamentals of Future Information Technol. (JARA-FIT), Juelich, DEU)
,
STAIKOV Georgi
(Forschungszentrum Juelich, Juelich, DEU)
,
SZOT Kristof
(Juelich-Aachen Res. Alliance Section Fundamentals of Future Information Technol. (JARA-FIT), Juelich, DEU)
,
SZOT Kristof
(Forschungszentrum Juelich, Juelich, DEU)
資料名:
Advanced Materials
(Advanced Materials)
巻:
21
号:
25/26
ページ:
2632-2663
発行年:
2009年07月13日
JST資料番号:
W0001A
ISSN:
0935-9648
CODEN:
ADVMEW
資料種別:
逐次刊行物 (A)
記事区分:
文献レビュー
発行国:
ドイツ (DEU)
言語:
英語 (EN)