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文献
J-GLOBAL ID：200902242470693261
整理番号：05A0262526
GaN,AlN,及びSiCのウェットエッチング:レビュー
Wet etching of GaN, AlN, and SiC: a review
ZHUANG D
(Kansas State Univ., KS, USA)
,
EDGAR J H
(Kansas State Univ., KS, USA)
資料名：
Materials Science & Engineering. R. Reports
(Materials Science & Engineering. R. Reports)
巻： R48 号： 1 ページ： 1-46 発行年： 2005年01月17日
JST資料番号： T0341A ISSN： 0927-796X 資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 文献レビュー 発行国： オランダ (NLD) 言語： 英語 (EN)
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