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文献
J-GLOBAL ID：200902242763417218
整理番号：06A0228782
シリコンベース層内の水素に関係した点欠陥 =Si(・)Hと≡SiOOH
Hydrogen related point defects in silicon based layers: =Si( )H and ≡SiOOH
DRINEK Vladislav
(Inst. of Chemical Process Fundamentals, Acad. of Sciences of the Czech Republic, Rozvojova 135, 16205 Praha 6, CZE)
,
VACEK Karel
(Inst. of Chemical Process Fundamentals, Acad. of Sciences of the Czech Republic, Rozvojova 135, 16205 Praha 6, CZE)
,
YUZHAKOV Gleb
(Inst. of Chemical Process Fundamentals, Acad. of Sciences of the Czech Republic, Rozvojova 135, 16205 Praha 6, CZE)
,
BASTL Zdenek
(J. Heyrovsky Inst. of Physical Chemistry, Acad. of Sciences of the Czech Republic, Dolejskova 3, 18223 Praha 8, CZE)
,
NAUMOV Sergej
(Leibnitz-Institut fuer Oberflaechenmodifizierung e.V. (IOM), Permoserstrasse 15, D-04318, Leipzig, DEU)
資料名：
Surface Science
(Surface Science)
巻： 600 号： 7 ページ： 1462-1467 発行年： 2006年04月01日
JST資料番号： C0129B ISSN： 0039-6028 資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文 発行国： オランダ (NLD) 言語： 英語 (EN)
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